制造薄膜太阳能电池的方法 CN201310105604.8
本发明涉及CIGS太阳能电池制造。本发明揭示一种使用卷对卷式装置制造CIGS薄膜太阳能电池的方法。本发明揭示通过以下步骤制造半导体薄膜Cu(InGa)(SeS)2的方法：依序电镀包含铜、铟、镓以及硒元素或其合金的多个前驱物层的堆叠，接着在介于450℃与700℃之间的温度下发生硒化。
专利类型：发明
专利号：
201310105604.8专利申请日：
2013.03.28公开（公告）日：
2013.08.28申请（专利权）人：
深圳首创光伏有限公司发明（设计）人：
李德林国别省市：
广东;44
