异质结太阳能电池及其制备方法 CN201210203861.0

专利类型：发明
专利号：201210203861.0
专利申请日：2012.06.20
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.10
分类号：
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：吴渊渊;郑新和;张东炎;李雪飞;陆书龙;杨辉
国别省市：江苏;32
本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层，第二薄膜与有源区之间还包括一与第二薄膜相异质的第二渐变缓冲层。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层；2）在第一渐变缓冲层裸露表面外延生长有源区；3）在有源区裸露表面生长第二渐变缓冲层；4）在第二渐变缓冲层裸露表面生长与第二渐变缓冲层相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。