一种纳米晶/量子点敏化晶硅电池片的化学气相沉积制备方法 CN201210189399.3

专利类型：发明
专利号：201210189399.3
专利申请日：2012.06.08
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.26
分类号：
申请（专利权）人：上海师范大学
发明（设计）人：余锡宾;浦旭鑫;冯吴亮;夏玉胜
国别省市：上海;31
本发明涉及一种纳米晶/量子点敏化晶硅电池片的化学气相沉积制备方法，属于半导体光电材料和太阳能电池领域。在扩散晶硅电池片上用化学气相沉积的方法沉积一层纳米晶/量子点敏化层，纳米晶/量子点对太阳光具有较强的吸收作用，不仅起到减少晶硅电池表面反射的作用，而且可以提高晶硅电池片的光电性能。本发明所提出的化学气相沉积方法简单，原料价格低廉，适应范围广泛，适合规模化工业生产。