一种背接触太阳能电池的制备方法 CN201410038687.8

　
本发明公开了一种背接触太阳能电池的制备方法，该方法利用扩散、图案化的介质掩膜、刻蚀和激光绝缘等技术组合实现了在硅基体背表面制作相互交替排列的p+掺杂区域和n+掺杂区域，在p+掺杂区域和n+掺杂区域的交界处制作用于p+/n+区域电绝缘的带隙，在硅基体前表面制作低表面掺杂浓度的n+前表面场FSF，然后利用SiOx，SiNx和AlOx等介质膜实现硅基体前后表面的钝化和前表面的减反，最后通过丝网印刷和共烧结的工艺实现硅基体背表面p+掺杂区域和n+掺杂区域的金属化接触，完成背接触太阳能电池的制作。本发明公开的制备方法与目前晶硅太阳能电池生产工艺有诸多共通之处，不需引入新的制造设备，所有制程都可以在当前工业化产线上完成，成本低、工艺简单合理且安全可靠。
专利号：201410038687.8
专利申请日：2014.01.26
公开（公告）日：2014.05.14
申请（专利权）人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司
发明（设计）人：刘志锋;尹海鹏;张峰;汤昆;单伟
国别省市：江苏;32