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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术35
002 磁阻效应元件和磁阻效应型磁头 003 碳膜覆盖部件 004 一种制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列的方法 005 半导体制造装置用旋转机的寿命预测方法和半导体制造装置 006 半导体器件制造方法、制造装置及其清洗方法和制造系统 007 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 008 聚焦、位置测量、曝光及元件制造的方法及曝光装置 009 发热体CVD装置及采用该装置的发热体CVD方法 010 用于化学机械研磨的研磨头 011 Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺 012 减少微粒产生的方法 013 硅的游离基氧化方法和装置 014 其上结合有薄膜电容器的多层布线基板的制造工艺 015 半导体电路装置及半导体装置 016 标记位置检测装置 017 安装在芯片上的接触弹簧 018 以金属硬遮罩层制作双镶嵌插销的方法 019 多位存储单元的参考位稳定方法 020 半导体器件及其制造方法 021 基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法 022 氮化硅只读存储器组件的制造方法 023 具有浅接面的非挥发性内存的制造方法 024 膜载带 025 半导体装置 026 半导体器件及其制造方法 027 引线架、树脂密封模型及使用它们的半导体 028 用于对地或电源而屏蔽传输线的装置 029 改善玻璃钝化硅器件高温反向特性的钝化玻璃涂敷液 030 具有熔线的半导体器件及其制造方法 031 半导体集成电路 032 非易失性半导体存储器 033 半导体存储器 034 半导体存储装置 035 防止天线效应的氮化硅只读存储器组件的结构 036 固体摄象装置以及使用该装置的摄像机微型组件 037 减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化 038 发光设备及其制造方法 039 非对称高电压金属氧化物半导体元件 040 光接收元件、有内构电路的光检测器以及光拾取器 041 发光二极管装置 042 半导体发光器件及其制造方法 043 通过激光退火和快速加温退火形成超浅结的方法 044 半导体基板洗涤剂和洗涤方法 045 减少去除光阻所致缺点形成高品质多厚度氧化物层的方法 046 显示器件的制造方法 047 半导体器件及其制备方法 048 具减低捕捉之三族氮化物基础场效晶体管和高电子移动晶体管及其制造方法 049 发光闸流晶体管矩阵阵列及其驱动电路 050 在基底上制作印刷线路的方法 051 半导体衬底制造方法 052 一种只读码掩模及其应用方法 053 调整半导体反应室真空系统的排气压力的装置及方法 054 半导体器件的制造方法 055 一种高介电栅介质Al2O3/... 056 切削机 057 一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层 058 Silk刻蚀后的湿法去胶工艺 059 改善DxZ氧化硅对Silk粘附性的工艺 060 用于提高介电薄膜的系统和方法 061 利用氧原子植入以制作自动对准的场氧化层的方法 062 低阻值晶体管元件的制作方法 063 制造薄膜晶体管的方法 064 安装电子元件后的零件的制造方法及其制造装置 065 半导体装置的制造方法和半导体装置及其装配方法 066 晶片及评价其载体浓度的方法 067 双重镶嵌结构的制造方法 068 一种系统整合芯片的制作方法 069 应用于系统芯片的半导体器件的制造方法 070 双MONOS单元制造方法及数组结构 071 可预先测试效能的芯片制作流程及其测试方法 072 半导体装置的设计方法和半导体装置 073 半导体集成电路器件的制造方法 074 半导体集成电路器件的制造方法 075 半导体集成电路器件的制造方法 076 一种双位元快速存储器结构及其制造方法 077 静态随机存储器的制造方法 078 垂直式的氮化物只读存储单元的制造方法 079 氮化硅只读存储器的结构与制造方法 080 一种嵌入式存储器的制作方法 081 薄膜晶体管阵列基板的制造方法及其结构 082 半导体装置及半导体装置的制造方法 083 半导体器件用的接触器和接触方法 084 具嵌梢的散热板及其封装件 085 一种散热结构 086 半导体装置 087 半导体器件及其制造方法 088 半导体集成电路及其制造方法 089 半导体器件、机器人、彩票的运营方法、记录媒体 090 半导体装置 091 相联存储器及其存储单元 092 半导体存储器件 093 非挥发性半导体存储单元结构及其制作方法 094 氮化只读存储器的结构及其制造方法 095 发光器件 096 高介电系数介质与半导体构成的耐压层 097 宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池 098 制造半导体发光装置的方法及其制造的半导体发光装置 099 一种电路保护方法 100 电子装置的外壳组件 101 沟槽深度检测和控制的方法及装置 102 非挥发性内存装置用的双重间隔器方法 103 用于测量电子器件参数的方法及设备 104 可表面装配的发光二极管光源和制造发光二极管光源的方法 105 受保护超导体组件及其制造方法 106 包封的陶瓷超导体 107 叠合标记及其应用方法 108 半导体设备的制造方法 109 电子装置用衬底，电子装置用衬底的制造方法，及电子装置 110 半导体制造装置 111 阶梯式开口的制造方法 112 半导体装置的制造方法以及研磨装置 113 低介电常数材料薄膜的制造方法 114 半导体器件的制造方法和制造装置 115 蚀刻液 116 薄膜晶体管的制造方法 117 具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的制造方法 118 半导体装置的制造方法 119 摄像传感器芯片封装方法及结构 120 集成电路测试基台结构改进 121 反熔丝的制造方法 122 具有沟槽隔离的半导体器件及其制造方法 123 半导体装置及其制造方法 124 双重镶嵌结构的制造方法 125 金属内连线的制造方法 126 非易失性存储器的制造方法 127 罩幕式只读存储器的结构与制造方法 128 用于光电模块的副支架以及利用该支架的封装方法 129 可设置无源组件的基板 130 具中央引线的半导体封装组件及其封装方法 131 半导体器件 132 干式快速散热器 133 散热板热管制造方法 134 半导体组件 135 多重布线板 136 半导体器件 137 具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法 138 半导体集成电路 139 半导体集成电路装置及其制造方法 140 半导体集成电路及其测试方法 141 半导体器件及其制造方法 142 一种功率型多晶硅发射极晶体管 143 具有双闸极绝缘层的MOS元件及其制作方法 144 薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器 145 具有透明基板覆晶式发光二极体晶粒的高亮度发光二极体 146 提供生产有机发光二极管装置的结合掩模的定位掩模部分 147 半导体发光装置 148 带有识别节点图案的压电变压器 149 压电变压器的驱动电路、冷阴极管发光装置、液晶面板 150 用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜材料 151 晶片制备设备 152 异质结BICOMS集成电路的制造方法 153 非接触互连系统 154 半导体能束探测元件 155 具有改进的导通状态特性的高压薄膜晶体管及其制造方法 156 光能转换装置 157 GalnN半导电层及其制备方法；包括该层的发光二极管和包括该发光二极管的... 158 压电陶瓷弯曲变换器及其应用 159 半导体厂自动化的保护电路 160 一种处理半导体晶片的方法和所用的半导体晶片的衬底 161 制造半导体器件的方法 162 具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法 163 化学溶液输送装置和制备悬浮液的方法 164 基板干燥装置以及使用该装置的基板干燥方法 165 在半导体晶圆去除圆周边缘的介电层的方法 166 形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法 167 闸流体的制作方法 168 利用减少漏极植入范围而缩小器件尺寸的方法 169 制作双扩散漏极的方法 170 金氧半导体晶体管的制造方法 171 半导体模块及其生产方法以及用于IC卡等的模块 172 安装半导体芯片的装置 173 局部形成硅化金属层的方法 174 半导体器件及其制造方法 175 平面单元存储元件的硅化物膜制造方法 176 非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法 177 埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法 178 快闪存储胞形成方法 179 防止嵌入式非挥发性存储器漏电流的方法 180 制作罩幕式只读存储器的埋藏位元线的方法 181 半导体装置 182 暴露信号线以及在信号线与基片之间有间隙的半导体器件 183 半导体器件和其制造方法 184 多层布线结构的半导体器件及其制造方法 185 功率半导体次级组件及功率半导体组件 186 功率半导体模块 187 包含复合集成电路结构的集成电路及其设计方法 188 电平移动器 189 具有提供在存储单元中的阱抽头的半导体器件 190 具有四个状态的存储单元的存储器件 191 半导体记忆装置 192 三维只读存储器集成电路 193 SNNNS类非挥发性存储胞的数据写入与清除方法 194 具有多重闸极绝缘层的非挥发性存储器组件 195 具有双浮置闸极存储晶胞的集成电路及其制造方法 196 四象限光电探测器光敏面四个区的光电转换平衡校正方法 197 四象限光电探测器检测与应用的模型法 198 固态成像设备及其制造方法 199 具有存储多个位的存储单元的半导体存储器及其驱动方法 200 改变透明导电层透射率的方法、平板显示器及其制造方法 201 叠置晶片全彩色发光二极管的封装结构及方法 202 形成具有金属基板的半导体元件 203 发光元件及其制造方法和用于制造发光元件的引线框 204 一种制作高温超导器件的离子表面改性方法 205 压电变压器 206 用于多种处理的立式配置腔室 207 波像差测定装置,波像差测定方法,曝光装置及微型器件的制造方法 208 采用氨中退火来建立超薄栅极绝缘体的方法 209 用于工件的等离子体清洗的方法和装置 210 用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法 211 钛的缓蚀 212 面结型场效应晶体管及其制造方法 213 用单附加掩模注入操作制造双阈值电压N沟道和P沟道MOSFET的方法 214 用于冷却高功率微处理器的平行板/针状翅片混合的铜散热装置 215 形成玻璃窗的光电装置 216 高速凹槽双扩散金属氧化物半导体 217 薄膜晶体管 218 藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出 219 药液供给装置
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