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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术74

001 导电无电镀沉积刻蚀停止层、衬垫层及通孔插塞在互连结构中的使用
002 形成于多厚度埋入氧化层上的半导体装置以及制造此半导体装置的方法
003 在集成电路中含硅导体区域形成改良的金属硅化物部分的方法
004 用于量化均匀性图形并包括用于工具开发和控制的专家知识的方法
005 高频组件及其制造方法
006 碳毫微管热界面结构
007 冷却装置
008 带有补偿的射频放大器装置
009 双极晶体管结构
010 于沟道区域中具有退化掺杂分布的半导体组件及用于制造该半导体组件的方法
011 半导体装置的接触部分及其制造方法,包括接触部分的显示装置用薄膜晶体管阵列...
012 金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法
013 完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件
014 偏置型三阱完全耗尽绝缘体上硅(SOI)结构及其制造和运用的各种方法
015 具有PNPN构造的发光器件和发光器件阵列
016 弧形的电激活致动器
017 互锁运动控制方法
018 LiGaO2/β-Ga2O<...
019 以聚合物沉积控制光阻移除处理的关键尺寸的微负载方法
020 半导体器件的制造方法
021 半导体器件及其制造方法
022 激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制作方法
023 半导体器件及其形成方法
024 改变膜结构的氧化方法和以之形成的CMOS晶体管结构
025 基板处理装置及基板处理方法
026 图案化导电聚苯胺薄膜的制备方法
027 光刻用硫化物半导体掩膜
028 激光结晶设备和激光结晶方法
029 制造显示器件的方法
030 Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法
031 切割半导体晶片的方法
032 研磨晶圆的材料层的方法
033 半导体装置及其制造方法
034 蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及半导体装置
035 选择性蚀刻掺杂碳的低介电常数材料的方法
036 在半导体制程中改善足部效应缺陷的方法
037 掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
038 使用离子注入过的晶片监测低温急速热退火工艺
039 制造具有凹入沟道的薄SOI CMOS的方法及其制造的器件
040 制造晶体管和使用该晶体管的图像显示设备的方法
041 可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法
042 扩散式晶圆型态封装的结构与其形成方法
043 半导体器件及其制造方法
044 验证代码互斥逻辑的检查方法
045 一种四自由度倒装键合头
046 静电吸盘
047 形成金属-绝缘体-金属电容的方法
048 堆叠式金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
049 在互连结构中低电阻通道接触的形成
050 布线结构及其制造方法
051 采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法
052 形成具有高品质因子电感的射频电路的方法
053 缩小化晶体管数组布局的方法及结构
054 互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法
055 制造NAND快闪器件的方法
056 硅化物接触和硅化物栅金属集成的方法
057 去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法
058 一种非挥发性记忆体及其运作方法
059 固态成像装置、布线衬底和制造该衬底的方法
060 电路基板及其制造方法、半导体封装及部件内置模块
061 热导管与散热鳍片的结合方法
062 一种高效低噪散热器和常用散热器的改进设计
063 CPU散热器的排风引导方法及装置
064 承载主动元件的热导管端面整平制造方法及其结构
065 使用相变制冷剂的泵送液体冷却系统
066 器件封装件和印刷电路板及电子装置
067 用于ESD保护的半导体集成电路器件
068 一种配对晶体管及其制造方法
069 发光二极管发光模块
070 用于芯片上系统的电感器及其制造方法
071 具有高品质因子的电感及其制造方法
072 多功能芯片组及相关方法
073 具有整体连接器接触件的晶片级电子模块及其制造方法
074 半导体集成电路器件
075 使用硅-硅直接晶片键合、在具有不同晶向的混合衬底上的CMOS
076 具有不同的源极和漏极延伸部分间隔的互补晶体管
077 半导体器件及其制造方法
078 半导体器件的制造方法
079 固体摄像器件及其制造方法
080 电荷传输器件
081 半导体装置及其制造方法以及静电放电保护电路
082 双极晶体管及其制造方法
083 固体摄像元件
084 场效应晶体管、集成电路及制造方法
085 多栅极结构的薄膜晶体管及其制作方法
086 半导体器件
087 薄膜晶体管与其制作方法
088 半导体装置
089 染料敏化太阳能电池及其电极
090 具有与掩埋层接触的导电插塞的光电二极管及其制造方法
091 真空层压装置和真空层压方法
092 发光二极管
093 一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
094 大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
095 形成发光二极管的方法
096 一种发光模块
097 发光半导体器件脉冲驱动方法和脉冲驱动电路
098 发光装置
099 制造光半导体器件的方法
100 光学半导体器件
101 热电材料和使用热电材料的热电组件
102 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法
103 微环境方式半导体制造装置
104 初缩掩模版和光学特性测量方法
105 基板处理装置
106 成像状态调节系统、曝光方法和曝光装置以及程序和信息存储介质
107 半导体装置的具有低介电常数的绝缘层的淀积方法
108 灰化方法
109 在一个加工步骤中形成不同厚度的高质量氧化物层的方法
110 用于控制理想氧沉淀硅片中洁净区深度的方法
111 制造具有不同厚度的栅极绝缘层的晶体管的方法
112 气密端子的制造方法及利用该方法制造的气密端子
113 半导体芯片安装用基板及其制造方法和半导体模块
114 多层陶瓷基板、其制造方法和制造装置
115 分栅式功率模块以及用于抑制其中振荡的方法
116 使用低介电常数材料膜的半导体器件及其制造方法
117 半导体器件及其制造方法
118 半导体装置及其制造方法
119 提高截止频率的硅锗晶体管
120 受光或发光用面板及其制造方法
121 平面雪崩光电二极管
122 用于喷墨印刷有机发光二极管矩阵的结构化聚合物衬底
123 半导体节距的制造方法
124 集成存储模块制造方法
125 超小粒径多晶硅的结构和方法
126 具有金属-绝缘体-金属电容器的半导体器件及制造方法
127 浸没式微影制程以及应用于浸没式微影制程的结构
128 抗蚀图形成方法
129 半导体器件的制造方法
130 超声波清洗用喷嘴和超声波清洗装置
131 利用热处理制造薄介电层的方法及半导体器件
132 硅化金属制造的方法
133 集成电路硅片表面颗粒清除方法
134 异质接面双极晶体管制造方法
135 硅化金属栅极晶体管的结构和方法
136 环绕栅极场效应晶体管
137 用于减小I/O NMOS反短沟道效应的离子注入
138 半导体芯片承载基板及其制造方法
139 集成电路晶片封装及其封装方法
140 锡球整平方法及治具
141 半导体装置及其制造方法、半导体芯片、电子组件以及电子设备
142 配备凸块的电子元件的安装方法及其安装结构
143 快速升温处理设备、其制造方法及温度调节方法
144 减少浅沟槽隔离结构电流泄漏的方法
145 半导体装置及其制造方法
146 形成位元线接触窗的方法
147 半导体组件内层介电层与半导体组件及其制造方法
148 在半导体装置中制造电容器的方法
149 单供电电平变换器
150 半导体器件制造方法
151 制造具有硅化电极的半导体器件的方法
152 存储器件及其制造方法
153 一种改善位线接触电阻值的方法
154 半导体晶片
155 带屏蔽壳的半导体器件制造方法、电子设备及连接方法
156 具有散热装置的球格式阵列构装
157 局部减小芯片上顺从导热材料层厚度的方法
158 自行车用电子部件的散热结构
159 散热片、冷却装置、电子设备、冷却装置的制造方法
160 一种用于芯片中的散热片结构
161 半导体器件及其制造方法
162 半导体装置和电子设备及其制造方法
163 半导体装置和电子器件及其制造方法
164 半导体组件及其制作方法
165 一种芯片内建电可擦除存储器的测试模块及其测试方法
166 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
167 半导体器件及其制造方法
168 半导体与反相器的结构以及形成半导体结构的方法
169 去耦电容与半导体集成电路
170 半导体集成电路器件
171 半导体器件及其制造方法
172 三维多晶硅只读存储器及其制造方法
173 光电变换装置及其制造方法和摄像系统
174 OTP器件
175 OTP器件(五)
176 OTP器件(二)
177 OTP器件(四)
178 OTP器件(三)
179 双极结晶体管及其制造方法
180 分段场效应晶体管及其制造方法
181 一种减小热载流子效应的I/O NMOS器件
182 SOI上的动态阈值电压MOSFET
183 半导体器件及其制造方法
184 金刚石半导体器件及其制造方法
185 半导体器件
186 嵌位二极管结构(三)
187 嵌位二极管结构(二)
188 嵌位二极管结构(四)
189 嵌位二极管结构
190 光生伏打装置
191 具有网状金属导电层的发光二极管及其制作方法
192 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
193 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
194 压电陶瓷器件的制造方法
195 场致发射的相变二极管存储器
196 相变尖端存储单元
197 反应器组件和处理方法
198 介电层电容器的制造方法
199 处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件
200 气相生长装置以及气相生长方法
201 记忆单元制造方法
202 气雾剂清洗装置及其控制方法
203 抛光垫、抛光装置及抛光方法
204 蚀刻方法及蚀刻装置
205 化学气相淀积法含氟聚合物介电中间层
206 横向耗尽结构的场效应晶体管
207 形成可熔断连接的方法
208 半导体装置及其制造方法
209 接触孔生产的监测
210 用于检查对带电粒子有反应的抗蚀剂的系统和方法
211 测试晶片和用于勘测静电放电感应的晶片缺陷的方法
212 异质结双极晶体管的结构及方法
213 连接IC终端至参考电位之装置
214 静电放电保护电路及工作方法
215 无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元及制造方法
216 用于掩埋局部互连的增强结构及方法
217 半导体器件及其形成方法
218 引线的接触结构及其制造方法,包括该接触结构的薄膜晶体管阵列衬底及其制造方...
219 光电发光用器件及其制造方法


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