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一种降低多晶电池片漏电的工艺方法 CN201710355691.0
本发明涉及一种降低多晶电池片漏电的工艺方法,在现有工艺中增加了槽式清洗的步骤,硅片在经过槽式清洗后,进一步清洗了硅片表面的金属离子和有机污染,降低了硅片内部的漏电,提升了成品率,提升了RSH,进一步提升了电池片的转换效率。 专利类型:发明 专利号: 2017103556...
更新:
2017-09-13 12:33:37
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