- 发明专利一种纳米晶/量子点敏化晶硅电池片的化学气相沉积制备方法 CN201210189399.3
- 专利类型:发明 专利号:201210189399.3 专利申请日:2012.06.08 公开(公告)号: 公开(公告)日:2012.09.26 分类号: 申请(专利权)人:上海师范大学 发明(设计)人:余锡宾;浦旭鑫;冯吴亮;夏玉胜 国别省市:上海;31 本发明涉及一种纳米晶/量子点敏化晶硅电池片的化学...
- 更新:2012-09-27 08:24:43 查阅全文...
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