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一种镁铝尖晶石-堇青石质煅烧锂电池正极材料用匣钵及其制备方法 CN2020112329

本发明公开了一种镁铝尖晶石堇青石质煅烧锂电池正极材料用匣钵及其制备方法,制备方法包括:将5~40t%海泡石矿物细粉、45~85wt%氧化铝细粉、10~18wt%电熔镁砂细粉按比例混合,造粒,然后机压成型,自然干燥后在1100~1300℃下烧成,再破碎筛分得到不同粒度的增强颗粒骨料和基...

/faming/24893.html 类别: 发明专利 日期: 2021-02-01
一种锂离子电池极片的浸润方法 CN201911237778.3

本发明提出的一种锂离子电池极片的浸润方法,在电芯一次化成后,再进行二次注液和化成。本发明提出的一种锂离子电池极片的浸润方法,通过一次化成后的二次注液,减少了浸润时间,提高了浸润效率,节约了时间。且,通过两次化成,促进了高压实极片吸附电解液,避免充放电过程...

/faming/24809.html 类别: 发明专利 日期: 2020-04-30
一种太阳能电池的制备方法 CN201911236535.8

本发明涉及一种太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:在透明基底的上表面形成多个凸条,接着在所述透明基底的上表面依次形成石墨烯/氧化铟锡复合导电层、第一复合空穴传输层、第二PEDOT:PSS空穴传输层、第一钙钛矿功能层、第二钙钛矿功能层、第三钙钛矿功能层、电子传输层、...

/faming/24796.html 类别: 发明专利 日期: 2020-03-30
一种高镍类单晶锂离子电池三元正极材料及制备方法 CN201911123561.X

本发明公开了一种高镍类单晶锂离子电池三元正极材料制备方法及所制三元正极材料,制备方法包括:将前驱体和锂源在空气或氧气中烧结;烧结所得前驱体金属氧化物A和氧化锂以锂和A中金属离子摩尔比1.01.1混匀,于氧气中一次烧结得B;将B以质量百分含量30%70%加入纯水中混匀,...

/faming/24793.html 类别: 发明专利 日期: 2020-03-30
一种锂离子电池负极及其制备方法 CN201910212332.9

本发明公开了一种锂离子电池负极及其制备方法,包括硅和框架材料,所述硅以纳米尺寸分布于框架材料中,所述框架材料是由碳纳米管或碳黑或炭气凝胶或它们间的组合所形成的。本发明针对现有硅负极体积膨胀大、电导率低的问题,设计了由碳纳米管或碳黑或炭气凝胶或它们间的组合...

/faming/24694.html 类别: 发明专利 日期: 2019-05-28
一种锂硫电池正极用粘结剂及其制备方法 CN201611237196.1

本发明公开了一种锂硫电池正极用粘结剂及其制备方法,通过巯基化常用锂硫电池正极用粘结剂或简单的物理掺杂巯基类化合物,赋予了粘结剂固载和吸附硫正极循环过程中所产生的多硫化物的功能,从而抑制多硫化物扩散溶解所带来的容量衰退。在锂硫电池正极片制备过程中,使用改性...

/faming/24056.html 类别: 发明专利 日期: 2017-03-15
一种染料敏化太阳能电池的制备方法 CN201610641239.6

本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的制备方法,属于太阳能电池制备技术领域。本发明首先通过将白矢车菊素与4丙氧基氯丁烷进行取代反应,然后再用氯取代烷基上的氢,再与经溴代、氧化后的物质进行反应得到改性光敏染料,再用自制的氧化钛膜浸泡入改性光敏染料溶液中,然后...

/faming/23947.html 类别: 发明专利 日期: 2016-12-14
一种锂离子电池用隔离膜及其制造方法 CN201410123741.9

  本发明公开了一种锂离子电池用隔离膜及其制造方法,所述隔离膜包括阻隔层和支撑层,所述阻隔层和支撑层之间设有黏合层。所述制造方法包括以下步骤:1)膜A放卷,输送至打孔设备位置进行打孔操作,其中,膜A包括支撑层和离型膜层,支撑层和离型膜层之间设有黏合层;2)打...

/faming/22378.html 类别: 发明专利 日期: 2014-07-04
锂离子电池三元正极材料前躯体的制备方法 CN201310598123.5

本发明涉及一种锂离子电池三元正极材料前躯体的制备方法,将硫酸镍溶液、硫酸钴溶液和硫酸锰溶液分别导入已通入N2的反应器中,升温至50℃开始搅拌,10min后向反应器中缓慢滴加分析纯的氨水,用pH计监测反应体系的pH值,继续滴加NaOH溶液直至达到反应的终点pH值,停止加碱后...

/faming/21710.html 类别: 发明专利 日期: 2014-03-18
一种硅纳米线量子阱太阳能电池及其制备方法 CN201310012321.9

本发明公开了一种硅纳米线量子阱太阳能电池,沿太阳光入射方向依次为Ti/Pd/Ag栅形电极、透明掺铝氧化锌(AZO)导电层薄膜、n+欧姆接触层、n层、nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱、p+欧姆接触层和Al背电极,所述太阳能电池采用p型硅纳米线阵列支撑nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱以及所示...

/faming/21524.html 类别: 发明专利 日期: 2014-02-19
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