一种硅纳米线量子阱太阳能电池及其制备方法 CN201310012321.9

本发明公开了一种硅纳米线量子阱太阳能电池，沿太阳光入射方向依次为Ti/Pd/Ag栅形电极、透明掺铝氧化锌（AZO）导电层薄膜、n+欧姆接触层、n层、nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱、p+欧姆接触层和Al背电极，所述太阳能电池采用p型硅纳米线阵列支撑nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱以及所示太阳能电池的制备方法，该新型太阳电池具有“高陷光、高效率，低成本和长寿命”的优点。在硅纳米线阵列表面形成渐变式量子阱材料，大大提高了太阳电池陷光效果，同时拓宽了太阳电池的光吸收谱，形成了一种近似全光谱的nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池。
专利类型：发明
专利号：201310012321.9
专利申请日：2013.01.14
公开（公告）日：2014.02.19
申请（专利权）人：江苏大学
发明（设计）人：丁建宁;张福庆;郭立强;袁宁一;程广贵;凌智勇;张忠强
国别省市：江苏;32