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铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器及其制备方法 CN202011466009.3


本发明公开了一种铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器及其制备方法,铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器,它包括:基体、叉指间隙、叉指电极5,所述的叉指电极5为石墨涂层,涂在基体上;在叉指间隙上涂GaS层;所述的叉指电极5铅笔绘在基体上,所述的叉指电极5接电部设有蒸镀金层;所述的涂GaS层,将GaS悬浊液滴加在叉指间隙上,加热烘干至深黄色;所述的涂GaS层为多层,重复滴加GaS悬浊液,加热烘干;得到了在二维材料探测器领域可观的结果:在532nm激光照射条件下拥有较高的响应度R=109.2A/W和较大的探测率D*=1.94×109Jones。
专利类型:发明
专利号:202011466009.3
专利申请日:2020.12.14
公开(公告)日:2021.04.06
申请(专利权)人:东北师范大学;
发明(设计)人:刘为振; 仲玮恒; 李远征; 杨旭慧;
国别省市:吉林;22


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