铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器及其制备方法 CN202011466009.3
本发明公开了一种铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器及其制备方法，铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，它包括：基体、叉指间隙、叉指电极5，所述的叉指电极5为石墨涂层，涂在基体上；在叉指间隙上涂GaS层；所述的叉指电极5铅笔绘在基体上，所述的叉指电极5接电部设有蒸镀金层；所述的涂GaS层，将GaS悬浊液滴加在叉指间隙上，加热烘干至深黄色；所述的涂GaS层为多层，重复滴加GaS悬浊液，加热烘干；得到了在二维材料探测器领域可观的结果：在532nm激光照射条件下拥有较高的响应度R=109.2A/W和较大的探测率D*=1.94×109Jones。
专利类型：发明
专利号：
202011466009.3
专利申请日：
2020.12.14
公开（公告）日：
2021.04.06
申请（专利权）人：
东北师范大学;
发明（设计）人：
刘为振; 仲玮恒; 李远征; 杨旭慧;
国别省市：
吉林;22
