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一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法 CN202010528210.3


本发明公开了一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法,该超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片包括:PI膜;PI膜上表面设有P型电极;P型电极上的P型InGaAs接触层、InGaAs底电池、缓冲层、第二隧穿结、GaAs中电池、第一隧穿结、GaInP顶电池、N型GaAs接触层;N型GaAs接触层上的N型电极与减反膜。本发明使用柔性PI膜作为柔性砷化镓太阳电池芯片的支撑衬底,弯曲半径更小、功重比更高,对比无衬底工艺,保证了电池片后续封装与布片的可行性,采用正负电极同向结构,便于焊接。
专利类型:发明
专利号:202010528210.3
专利申请日:2020.06.11
公开(公告)日:2020.09.29
申请(专利权)人:中山德华芯片技术有限公司;
发明(设计)人:杨文奕; 王兵; 何键华; 黄嘉敬; 曾桂平;
国别省市:广东;44


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