一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法 CN201310229780.2

　
本发明适用于光伏新能源材料技术领域，提供了一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤：制备铜铟镓硒纳米颗粒；制备铜铟镓硒纳米晶墨水；制备铜铟镓硒薄膜；铜铟镓硒薄膜硫化处理。本发明工艺简单，操作方便，成本低廉，便于太阳能薄膜电池的规模化生产，优化了铜铟镓硒硫薄膜的能带结构，使之能充分利用太阳光谱的能量，进而促进了电池界面性能的提高。
专利号：201310229780.2
专利申请日：2013.06.09
公开（公告）日：2013.10.09
申请（专利权）人：深圳市亚太兴实业有限公司
发明（设计）人：徐东;徐永清;杨杰
国别省市：广东;44