一种钝化接触太阳能电池的制备方法 CN202010554934.5

本发明涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法。该制备方法包括：对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，激光器的功率为20～38W；清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；对晶体硅基体的双面进行钝化处理；对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
专利类型：发明
专利号：202010554934.5
专利申请日：2020.06.17
公开（公告）日：2020.09.29
申请（专利权）人：泰州中来光电科技有限公司;
发明（设计）人：周华民; 宋岚; 杨志明; 张云; 陶波; 王云明; 周军; 黄志高;
国别省市：江苏;32