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一种钝化接触太阳能电池的制备方法 CN202010554934.5


本发明涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法。该制备方法包括:对晶体硅基体进行预处理,以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层;对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描,使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化,形成正面掺杂多晶硅层;其中,激光器的功率为20~38W;清洗晶体硅基体,以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层;在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层,并对背面非晶硅层进行掺杂,使背面非晶硅层完成晶化,形成背面掺杂多晶硅层;对晶体硅基体的双面进行钝化处理;对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
专利类型:发明
专利号:202010554934.5
专利申请日:2020.06.17
公开(公告)日:2020.09.29
申请(专利权)人:泰州中来光电科技有限公司;
发明(设计)人:周华民; 宋岚; 杨志明; 张云; 陶波; 王云明; 周军; 黄志高;
国别省市:江苏;32


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