一种稳定高效率硅异质结太阳电池的制备方法 CN202010479758.3

本发明公开一种稳定高效率硅异质结太阳电池的制备方法，在累积薄膜的表面沉积本征非晶硅薄膜，所述累积薄膜包括沉积腔室内的累积薄膜，对沉积腔室内沉积的本征非晶硅薄膜为高氢含量且高无序度非晶硅薄膜，所述高氢含量是指通过对单位体积内氢原子个数的计算，相对于硅原子个数5.22×1022，氢的百分比含量在10%~25%；高无序度是指微结构因子R为15%~80%。本发明在沉积腔室内和托盘表面沉积非晶硅薄膜，可以有效减小累积薄膜的内应力而避免沉积腔内累积薄膜的脱落，有益于高效率低成本硅异质太阳电池的稳定产出，快速处理累积薄膜、获得稳定高效率硅异质结太阳电池。
专利类型：发明
专利号：202010479758.3
专利申请日：2020.05.29
公开（公告）日：2020.08.28
申请（专利权）人：中威新能源（成都）有限公司;
发明（设计）人：张丽平; 刘正新; 蓝仕虎; 孟凡英;
国别省市：四川;51