一种多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法 CN201310288582.3
本发明提出一种基于ZnO纳米阵列的n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池及其制备方法。电池结构为：FTO或AZO透明导电玻璃衬底/ZnO籽晶层/N型ZnO纳米阵列/P型多晶硅薄膜/金属电极。制备方法为：以溶胶-凝胶法或磁控溅射在FTO或AZO透明导电玻璃衬底上制备ZnO籽晶层，以水热合成法在籽晶层上制备ZnO纳米阵列，再采用金属诱导法在纳米阵列表面沉积P型多晶硅薄膜，最后镀上金属电极形成n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池。此结构特征为Si薄膜全面包覆ZnO纳米棒，利用纳米阵列传递载流子提升光伏转换效率；N型ZnO与P型Si共一族掺杂元素，还可利用金属诱导法时金属原子掺杂，形成有效的PN结。
专利类型：发明
专利号：
201310288582.3专利申请日：
2013.07.11公开（公告）日：
2013.10.23申请（专利权）人：
湖南师范大学发明（设计）人：
羊亿;陈丝懿;王高飞;孙汝廷国别省市：
湖南;43
