一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法 CN202010273749.9

本申请公开了一种去绕镀方法，包括获得正面形成有BSG层的硅片；在硅片的背面形成氧化层；在氧化层背离硅片的表面形成多晶硅层，并对多晶硅层进行磷扩散形成PSG层，且PSG层的厚度取值范围为30nm至50nm，包括端点值；利用氢氟酸溶液去除正面绕镀，并利用氢氧化钾溶液去除正面多晶硅。本申请中PSG层厚度较厚，利用氢氟酸溶液单面去除正面的绕镀，此时由于PSG层厚度较厚，起到保护背面氧化层的作用，再用氢氧化钾溶液去除正面多晶硅，完成去绕镀，氢氟酸、氢氧化钾溶液均为光伏行业常规使用的化学品，不使用任何添加剂，降低生产成本，且不会给废液处理带来压力。本申请还提供一种具有上述优点的钝化接触太阳能电池制备方法。
专利类型：发明
专利号：202010273749.9
专利申请日：2020.04.09
公开（公告）日：2020.07.24
申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司; 晶科能源有限公司;
发明（设计）人：王东; 金井升; 张玥;
国别省市：浙江;33