一种薄膜太阳能电池缓冲层后处理工艺 CN201610390568.8

本发明提供一种薄膜太阳能电池缓冲层后处理工艺，包括：提供表面形成有吸收层的薄膜太阳能电池，配置反应溶液，采用化学水浴法将所述反应溶液沉积于所述吸收层表面形成缓冲层，之后将所述缓冲层置于水溶液中进行浸泡处理，最后取出，用氮气吹干。本发明缓冲层后处理工艺可以改善缓冲层表面平整度，减少缓冲层表面絮状物，增加与上层窗口层的接触面积与晶格匹配，减少载流子在缓冲层/窗口层界面的复合，可提高薄膜太阳能电池的短路电流密度1.0‑2.0mA/cm2，提高电池转换效率绝对值1‑3％。由于浸泡处理所采用的氨水、异丙醇、醋酸铵等本身为常规试剂，可重复利用，工艺成本低、设备简单可靠、操作安全、适用于工业化生产。
专利类型：发明
专利号：201610390568.8
专利申请日：2016.06.03
公开（公告）日：2016.08.31
申请（专利权）人：china科学院上海微系统与信息技术研究所;
发明（设计）人：柳效辉; 韩安军; 王宪; 黄勇亮; 孟凡英; 刘正新;
国别省市：上海;31