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结合隧穿氧化层的选择性发射极单晶PERC电池的制备方法 CN201910399799.9


本发明涉及一种结合隧穿氧化层的选择性发射极单晶PERC电池的制备方法,包括:双面制绒;单面或双面氧化处理,形成氧化硅;单面或双面多晶硅沉积并掺杂磷素;正面印刷掩膜;去除掩膜以外的多晶硅及氧化硅;去除掩膜;单面或双面掺杂磷素;背面刻蚀并去除磷硅玻璃;背面氧化铝钝化;双面PECVD镀膜;背面激光开膜;背面印刷背银和铝浆,正面沿掩膜位置印刷电极;烧结并光电注入,得到电池。本发明采用隧穿氧化层和选择性发射极技术应用于单晶PERC电池,与传统的选择性发射极电池相比,在发射极与基底之间插入隧穿氧化层,增强电池片正面钝化效果,避免了正面电极与硅片直接形成欧姆接触产生极大的复合,从而提升开路电压。
专利类型:发明
专利号:201910399799.9
专利申请日:2019.05.14
公开(公告)日:2019.09.27
申请(专利权)人:江苏顺风光电科技有限公司;
发明(设计)人:瞿辉; 曹玉甲; 王芹芹; 汤佳丽; 杨三川; 周颖;
国别省市:江苏;32


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