结合隧穿氧化层的选择性发射极单晶PERC电池的制备方法 CN201910399799.9

本发明涉及一种结合隧穿氧化层的选择性发射极单晶PERC电池的制备方法，包括：双面制绒；单面或双面氧化处理，形成氧化硅；单面或双面多晶硅沉积并掺杂磷素；正面印刷掩膜；去除掩膜以外的多晶硅及氧化硅；去除掩膜；单面或双面掺杂磷素；背面刻蚀并去除磷硅玻璃；背面氧化铝钝化；双面PECVD镀膜；背面激光开膜；背面印刷背银和铝浆，正面沿掩膜位置印刷电极；烧结并光电注入，得到电池。本发明采用隧穿氧化层和选择性发射极技术应用于单晶PERC电池，与传统的选择性发射极电池相比，在发射极与基底之间插入隧穿氧化层，增强电池片正面钝化效果，避免了正面电极与硅片直接形成欧姆接触产生极大的复合，从而提升开路电压。
专利类型：发明
专利号：201910399799.9
专利申请日：2019.05.14
公开（公告）日：2019.09.27
申请（专利权）人：江苏顺风光电科技有限公司;
发明（设计）人：瞿辉; 曹玉甲; 王芹芹; 汤佳丽; 杨三川; 周颖;
国别省市：江苏;32