本发明提供了一种Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池，由依次复合的衬底、背电极、背表面场层、吸收层、缓冲层、窗口层和前电极组成；所述背表面场层为Cu2ZnSn(S,Se)4背表面场层或非晶硅背表面场层；所述吸收层为Cu2ZnSn(S,Se)4吸收层。与现有技术相比，本发明提供的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有背表面场层，能够扩展Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的内建电场分布区域，提高Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的总内建电势，形成光生少子势垒，钝化Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池背表面，从而使得到的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有良好的光伏特性。
专利类型：发明
专利号：
201810014685.3
专利申请日：
2018.01.08
公开（公告）日：
2018.05.15
申请（专利权）人：
广东工业大学;
发明（设计）人：
许佳雄; 林俊辉; 庄楚楠;
国别省市：
广东;44
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