采用氢破工艺制备氧化亚硅负极材料的方法及锂离子电池 CN201710840088.1

本发明涉及锂离子电池技术领域，具体地说是一种采用氢破工艺制备氧化亚硅负极材料的方法及锂离子电池，其特征在于，包括如下处理步骤：无定形氧化亚硅在惰性气氛保护下进行热处理使无定形硅产生部分晶化；氢破；气流破碎；包覆改性；炭化。本发明同现有技术相比，适用于高容量锂离子电池负极材料制备，工艺过程具有生产效率高、成本低、便于进行工业化生产等优点；所得氧化亚硅材料具有氧含量低、晶粒均匀、粒径分布窄、高度各向异性、导电性好；制备的硅碳负极材料比容量高达1500mAh/g，首次效率达82％。
专利类型：发明
专利号：201710840088.1
专利申请日：2017.09.18
公开（公告）日：2019.03.26
申请（专利权）人：上海杉杉科技有限公司;
发明（设计）人：马飞; 沈龙; 吴志红; 丁晓阳;
国别省市：上海;31