一种化学抛光法制作异质结单晶硅薄膜太阳能电池 CN201210143794.8
目前异质结单晶硅薄膜太阳电池皆于清洗制绒后，直接进入等离子增强式化学气相沉积设备制备钝化层，然而因制绒后的硅片表面会产生很大的高低落差，会造成于后续的钝化层覆盖性不佳，本发明即为提供一种化学溶液抛光工艺于硅片进入等离子增强式化学气相沉积设备前先将硅片待镀面表面进行抛光处理，如此可增加钝化层的致密性，进而提升转换效率。
专利类型：发明
专利号：
201210143794.8专利申请日：
2012.05.10公开（公告）日：
2013.11.13申请（专利权）人：
吉富新能源科技(上海)有限公司发明（设计）人：
郑佳仁;刘幼海;刘吉人国别省市：
上海;31
