一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法 CN201811145297.5

本发公开供了一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法，提供一第一电池；在所述第一电池上形成变质缓冲层，所述变质缓冲层包括依次叠加形成的多个子缓冲层，且在相邻所述子缓冲层之间形成有进行原位退火的成核层；在所述变质缓冲层背离所述第一电池一侧形成第二电池。由上述内容可知，在相邻的子缓冲层之间形成进行原位退火的成核层，不仅能够通过成核层掩埋其下子缓冲层的位错处，且同时成核层朝向其上的子缓冲层一侧的粗糙表面能够引导后续外延进行横向外延，进而提高变质缓冲层阻挡位错向上延伸的能力；同时，进行原位退火的成核层形成有粗糙表面，以提高该界面处释放应力的效果，改善了晶圆翘曲的问题，实现更大的工艺窗口。
专利类型：发明
专利号：201811145297.5
专利申请日：2018.09.29
公开（公告）日：2019.01.29
申请（专利权）人：扬州乾照光电有限公司;
发明（设计）人：吴真龙; 叶培飞; 李俊承; 姜伟; 张雷;
国别省市：江苏;32