一种多结太阳能电池及其制作方法 CN201811145299.4

本发明公开了一种多结太阳能电池及其制作方法，制作方法包括：提供一第一电池；在第一电池上形成变质缓冲层，变质缓冲层包括依次叠加形成的多个子缓冲层，且在每一子缓冲层制作完毕后均进行原位腐蚀；在变质缓冲层背离第一电池一侧形成第二电池。在子缓冲层制作完毕后，通过对每一子缓冲层均进行原位腐蚀，进而能够在子缓冲层表面的位错处刻蚀位错坑，在随后的外延过程中会在位错坑位置发生侧向外延，减少了后续外延的子缓冲层的位错密度，使得变质缓冲层表面的位错密度整体降低，提高变质缓冲层阻挡位错向上延伸的能力；原位腐蚀能够使得子缓冲层的表面粗糙，进而能够提高相邻子缓冲层的界面处释放应力的效果，改善了晶圆翘曲的问题。
专利类型：发明
专利号：201811145299.4
专利申请日：2018.09.29
公开（公告）日：2019.01.29
申请（专利权）人：扬州乾照光电有限公司;
发明（设计）人：吴真龙; 叶培飞; 李俊承; 姜伟; 张雷;
国别省市：江苏;32