激光辅助晶化Ge/Si衬底GaAs单结太阳能电池及其制备工艺 CN201611259616.6
本发明涉及一种激光辅助晶化Ge/Si衬底上GaAs单结太阳能电池制备工艺，所述制备工艺包括：(a)制作Si衬底层；(b)在所述Si衬底层上采用磁控溅射法形成Ge外延层；(c)采用CVD工艺在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)采用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(e)刻蚀所述氧化层；(f)在所述Ge外延层上制备GaAs单结电池；(g)依次制备接触层、反射膜和接触电极，最终形成所述GaAs单结太阳能电池。本发明制备的GaAs单结太阳能电池通过采用LRC工艺可有效降低Ge/Si衬底的位错密度，使基于Ge/Si衬底的GaAs单结太阳能电池器件质量提高，光电转化效率提高。
专利类型：发明
专利号：
201611259616.6
专利申请日：
2016.12.30
公开（公告）日：
2018.07.10
申请（专利权）人：
西安科锐盛创新科技有限公司;
发明（设计）人：
尹晓雪;
国别省市：
陕西;61
