倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法 CN201210213314.0
本发明公开了一种倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法，其利用高深宽比位错捕获技术实现GaAs材料上InP外延以及GaAs系和InP系电池的单片集成，并通过倒置生长在GaAs衬底上实现GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs多结电池，其后通过层转移技术和衬底剥离技术将其转移到更加廉价衬底，获得了具有较高光电转换效率的高性价比太阳能电池。本发明方法易于实施，成本低廉，能实现III-V多结太阳能电池的规模化生产。
专利类型：发明
专利号：
201210213314.0专利申请日：
2012.06.26公开（公告）号：
公开（公告）日：
2012.10.10分类号：
申请（专利权）人：
china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所发明（设计）人：
张瑞英;董建荣;杨辉国别省市：
江苏;32
