一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201710842368.6

本申请公开了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括：对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到的磷扩散层形成发射结；对所述磷扩散层进行热氧化，形成隧道氧化层；在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜；去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层，正面沉积氮化硅薄膜；在所述P型硅片的背面沉积氮化硅和氧化铝叠层薄膜并激光开孔，进行丝网印刷和烧结。上述P型晶体硅太阳能电池的制备方法，能够解决P型晶体硅正面钝化和金属化问题以及钝化接触结构中多晶硅薄膜的吸光问题，从而提高电池转换效率。
专利类型：发明
专利号：201710842368.6
专利申请日：2017.09.18
公开（公告）日：2018.01.30
申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司; 晶科能源有限公司;
发明（设计）人：杨洁; 张昕宇; 金浩; 王钊; 刘洪伟;
国别省市：浙江;33