局部掺杂背纯化晶体硅太阳能电池及其制作方法 CN201310611347.5

本发明公开了一种局部掺杂背纯化晶体硅太阳能电池及其制作方法。包括以下步骤：S1、对硅片表面清洁制绒，并在制绒后的硅片的背面镀钝化层；S2、在钝化层上设置硼扩散槽区，并利用离子注入法在硼扩散槽区内进行硼源掺杂；S3、在硅片正面依次形成p-n结和减反射膜；S4、印刷正电极和背电极并烧结，得到局部掺杂背纯化晶体硅太阳能电池。通过制作钝化膜代替现有技术中的掩膜层，省去了制作、去除掩膜层的步骤，同时结合离子注入法在钝化膜上的槽区内掺杂硼形成局部背场。通过在硼掺杂后制作p-n结的同时完成了离子注入法的退火步骤，省去了离子注入法后还需单独退火的步骤，在不降低电池性能的同时简化了局部掺杂背钝化的工艺步骤。
专利类型：发明
专利号：201310611347.5
专利申请日：2013.11.26
公开（公告）日：2014.02.26
申请（专利权）人：英利集团有限公司
发明（设计）人：徐卓;杨学良;杨德成;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰
国别省市：河北;13