一种准单晶电池的制备方法 CN201710891347.3

本发明涉及一种准单晶电池的制备方法，包括如下步骤：将准单晶硅片在第一预设温度的第一混合液中浸泡第一预设时间，其中第一混合液包括氢氟酸与双氧水；向第一混合液中加入第二混合液以得到中性混合液，并将准单晶硅片在中性混合液中清洗第二预设时间，其中第二混合液包括氢氧化钾以及氢氧化铵；将预清洗后的准单晶硅片在第二预设温度的第三混合液中酸洗第三预设时间；将经酸洗后的准单晶硅片依次进行化学反应刻蚀以及物理离子轰击处理；将干法黑硅处理后的准单晶硅片依次进行硼扩散、磷扩散、镀膜以及印刷电极处理后得到准单晶电池。本发明制备得到的准单晶电池，绒面陷光效果较好，电池转换效率较高，提高了电池质量。
专利类型：发明
专利号：201710891347.3
专利申请日：2017.09.27
公开（公告）日：2018.01.23
申请（专利权）人：晶科能源有限公司; 浙江晶科能源有限公司;
发明（设计）人：王海涛; 包健; 廖晖; 李林东; 陈伟; 金浩;
国别省市：江西;36