一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 CN201310189678.4
本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，它是采用直流磁控溅射的方法在soda-lime玻璃上沉积双层金属Mo电极，然后用射频磁控溅射的方法通过溅射铜铟镓硒四元合金单靶（CuIn0.7Ga0.3Se2）在Mo电极上沉积CIGS薄膜。溅射过程中保持一定的基底温度和溅射功率，溅射所得到的CIGS薄膜具有黄铜矿结构，适合作为太阳能电池的吸收层，本发明所述的方法不仅成本低，工艺简单，而且省去了硒化退火，更有利于环保。
专利类型：发明
专利号：
201310189678.4专利申请日：
2013.05.20公开（公告）日：
2013.09.11申请（专利权）人：
天津师范大学发明（设计）人：
李德军;贾涛;董磊国别省市：
天津;12
