硅基太阳能电池N型表面隧穿氧化钝化接触制作方法 CN201610387754.6

本发明涉及硅基太阳能电池N型表面隧穿氧化钝化接触制作方法，包括以下步骤：(1)前道工序处理后对单晶硅片表面用溶液清洗，去除表面氧化层；(2)对单晶硅片表面进行氧化，形成一层超薄隧穿氧化层；(3)利用化学气相沉积法在超薄隧穿氧化层上方沉积硅薄层，并完成对该硅薄层的磷掺杂；(4)将硅片进行氧化退火，进一步改善硅层微观结构及性能；(5)在掺磷硅薄层上方采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅钝化减反射层；(6)在氮化硅钝化减反射层的表面印刷金属电极，即完成制作过程。本发明可大幅降低电池片的表面复合，起到优良的钝化效果，提升开路电压；产品具有良好的热稳定性，无需开发专用低温工艺，从而降低成本。
专利类型：发明
专利号：201610387754.6
专利申请日：2016.06.02
公开（公告）日：2017.12.12
申请（专利权）人：上海神舟新能源发展有限公司;
发明（设计）人：钱峥毅; 汪建强; 郑飞; 林佳继; 张忠卫; 石磊;
国别省市：上海;31