硅碳负极极片及其制作方法、锂离子电池及其制作方法 CN201210222548.1

本发明公开了一种硅碳负极极片及其制作方法、锂离子电池及其制作方法，硅碳负极极片包括集流体和活性层，还包括缓冲层，缓冲层位于集流体和活性层之间。本发明在集流体和活性层之间添加石墨缓冲层，当硅碳活性层膨胀时，吸收应力；当硅碳活性层缩小时，释放应力，保证了硅碳活性层不会产生粉化和脱落；石墨缓冲层表面粗糙，能够使硅碳活性层与缓冲层之间紧密粘结，保证了硅碳活性层在脱嵌锂离子时不脱落；石墨的电子导电性高，使得极片在充放电过程中提高负极极片的导电率，降低负极极片的极化，有利于形成良好的SEI膜，有效改善电池的循环性能，提高了电池的体积能量密度，实现了硅碳负极的实用化。
专利类型：发明
专利号：201210242801.X
专利申请日：2012.06.29
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.7
分类号：
申请（专利权）人：深圳市海太阳实业有限公司
发明（设计）人：赖桂棠;许晶;王涛;李科;严磊;陈兴荣
国别省市：广东;44