双面电池的掺杂方法 CN201610297904.4

本发明公开了一种双面电池的掺杂方法，包括：对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；对该硅衬底的第一表面进行磷离子注入，注入剂量至少为2.5e15/cm2；通过背靠背扩散的方式对该硅衬底的第二表面进行硼扩散以在第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层，同时第一表面侧的磷被推进至硅衬底中形成磷掺杂层，其中硼扩散温度在850‑1000℃；蚀刻去除扩散过程中形成于硅衬底侧壁中的硼。在磷离子注入后进行硼扩散，一步高温工艺实现硅片正背面的掺杂，简化了工艺步骤。通过特定条件的磷离子注入和背靠背硼扩散的结合，背面的绒面得以保留，并且由此制得的双面电池的背面效率和正面效率非常接近。
专利类型：发明
专利号：201610297904.4
专利申请日：2016.05.06
公开（公告）日：2017.11.14
申请（专利权）人：上海凯世通半导体股份有限公司;
发明（设计）人：何川; 金光耀; 王懿喆; 洪俊华; 陈炯;
国别省市：上海;31