一种IBC电池工艺制备方法 CN201710404027.0

本发明公开了一种IBC电池工艺制备方法。它包括以下步骤：A、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um‑10um，绒面反射率为9%‑13%，背面抛光反射率为30%‑45%；B、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧化层；C、利用质量比为1%‑3%的KOH、质量比为3%‑5%添加剂、温度为75‑85℃的腐蚀液进行分区制绒腐蚀，腐蚀区域反射率为20%‑28%；D、然后在背面形成第二掺杂区；在正面形成FSF；正反两面沉积钝化层；最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。采用上述方法后，在背面金属印刷过程中，p区、n区利用绒面/抛光面进行区分，形成表面状态反差，金属印刷中，CCD相机在不同表面状态会有不同的光谱响应，实现金属印刷的快速、精确对准。
专利类型：发明
专利号：201710404027.0
专利申请日：2017.06.01
公开（公告）日：2017.11.07
申请（专利权）人：晋能清洁能源科技有限公司;
发明（设计）人：张娟; 李高非; 王继磊; 黄金; 白炎辉; 鲍少娟; 易治凯;
国别省市：山西;14