表面等离激元和界面场协同增强型单晶硅电池的制备方法 CN201710449371.1
本发明属于光伏技术领域，具体为一种表面等离激元和界面场协同增强型单晶硅电池的制备方法。本发明使用热退火诱导法制备镶嵌于二氧化硅上钝化层中的金属颗粒（直径<100nm），在电池烧结温度下蒸镀的金属膜会热收缩成纳米颗粒，有效捕获共振波长在近紫外附近的太阳光波段，产生光生电子空穴对，然后由二氧化硅钝化层对n型硅的界面场效应，将光生电子空穴对拉开，形成额外的光电流，提升电池的光电响应；同时这种贵金属前位嵌入结构的二氧化硅，可以视作优秀的场效应钝化层。
专利类型：发明
专利号：
201710449371.1
专利申请日：
2017.06.14
公开（公告）日：
2017.10.10
申请（专利权）人：
复旦大学;
发明（设计）人：
周智全; 胡斐; 陆明;
国别省市：
上海;31
