一种太阳能电池片返工方法 CN201710501618.X

本申请提供一种太阳能电池片返工方法，包括：提供待返工硅片，所述待返工硅片表面具有失败膜层，所述待返工硅片位于管式镀膜炉管内；往所述管式镀膜炉管内通入气体，生成含氟等离子体；利用所述含氟等离子体去除所述待返工硅片表面的失败膜层；对去除失败膜层的硅片重新镀膜。本发明提供的太阳能电池片返工方法，使用干法含氟的等离子体去除镀膜失败的硅片表面的失败膜层，能够直接在管式镀膜炉管内进行，而无需其它工序处理。重新镀膜时，也可以直接重新镀膜，不需要重新经过制绒、扩散、刻蚀工序，然后重新镀膜，因此，能够节省大量返工时间和物料成本。且本发明实施例提供的太阳能电池片返工方法工艺简单，步骤精简，成本较低。
专利类型：发明
专利号：201710501618.X
专利申请日：2017.06.27
公开（公告）日：2017.08.29d
申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司; 晶科能源有限公司;
发明（设计）人：黄纪德; 金井升; 张昕宇; 金浩;
国别省市：浙江;33