无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法 CN201710184594.X

本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法，透明导电膜位于正面钝化膜和减反射膜之上，P型晶体硅片上的通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极，N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，透明导电膜穿透减反射膜和正面钝化膜与局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极，透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过过孔电极导至电池的背面，背面正极细栅线穿透第一背面钝化膜和第二背面钝化膜与P型基体形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正极。本方法避免了电池正极的光遮挡，增加了功率输出，减少了电池制作过程中银浆的耗量，降低了生产成本。
专利类型：发明
专利号：201710184594.X
专利申请日：2017.03.24
公开（公告）日：2017.08.01
申请（专利权）人：乐叶光伏科技有限公司;
发明（设计）人：赵科雄;
国别省市：陕西;61