太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池图案 CN201110350501.9

公开了制造背接触式薄膜太阳能电池的方法，包括如下步骤，提供基底、在所述基底上形成背电极层以及使用激光在所述基底一侧入射对所述背电极层进行划线。还公开了涉及采用上述方法制造的背接触式薄膜太阳能电池以及薄膜太阳能电池图案。
专利类型：发明
专利号：201110350501.9
专利申请日：2011.10.31
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.08
分类号：
申请（专利权）人：香港中文大学
发明（设计）人：萧旭东;张撷秋;杨世航;朱家宽;邹承德;叶荏硕
国别省市：香港;HK

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