一种抗PID效应晶体硅太阳能电池的制作方法 CN201611064340.6

本发明公开了一种抗PID效应晶体硅太阳能电池的制作方法，抗PID效应晶体硅太阳能电池在硅基层和氮化硅膜之间形成一层二氧化硅，具体步骤如下：对硅基片进行前工序处理，处理包括去损伤层清洗、制绒、扩散和刻蚀步骤；将处理后的硅基片进行去磷硅玻璃清洗；将清洗后的硅基片浸入在一定浓度和温度的双氧水溶液中进行氧化处理，经过一定时间后取出，用去离子水进行漂洗后烘干，得到二氧化硅层；在氧化硅层表面沉积氮化硅层；将硅基片正面和背面进行金属化及烧结。本发明采用双氧水氧化工艺得到的二氧化硅膜，膜层致密，具有较低的表面态密度，提高了对基体硅表面缺陷的钝化效果，从而提高了太阳能电池片的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201611064340.6
专利申请日：2016.11.28
公开（公告）日：2017.05.03
申请（专利权）人：江苏福克斯新能源科技有限公司
发明（设计）人：马建峰; 刘强
国别省市：江苏;32