引晶工艺生产掺杂态α-氢氧化镍正极材料的方法 CN201210483751.4

本发明公开了一种引晶工艺生产掺杂态α-氢氧化镍正极材料的方法，首先制备纳米级α-Ni(OH)2作为晶种：所述的纳米级α-Ni(OH)2晶种的晶体尺寸为5-100纳米；所述纳米级α-Ni(OH)2晶种的制备方法采用超声波作为辅助条件，采用共沉积法制备；然后使用该晶种采用引晶工艺制备掺杂态α-Ni(OH)2正极材料，所述掺杂态α-Ni(OH)2正极材料主要的制备材料为镍盐，采用铝离子和锰离子为掺杂剂。本发明生产成本大幅度降低；同时生产周期只需要12小时左右，α-Ni(OH)2结晶较为完整，提高了振实密度，有利于提高活性物质的填涂量；而且提高了电极的循环寿命。
专利类型：发明
专利号：201210483751.4
专利申请日：2012.12.07
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.23
分类号：
申请（专利权）人：湖南丰日电源电气股份有限公司
发明（设计）人：黎福根;唐怀远
国别省市：湖南;43