一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法 CN201611025279.4

本发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法，该清洗方法包括：对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化；采用******、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。本发明实施例提供的上述清洗方法中在利用******和双氧水对太阳能电池硅片的微刻蚀作用的基础上，又加入了盐酸对金属离子的络合作用，可以溶解残留的金属离子，进一步加强对太阳能电池硅片表面金属污染物的清洗效果，进而降低太阳能电池硅片表面的金属离子与太阳能电池硅片中的少子的复合，提高太阳能电池硅片中少子的寿命，从而提高太阳能电池的效率。
专利类型：发明
专利号：201611025279.4
专利申请日：2016.11.21
公开（公告）日：2017.02.15
申请（专利权）人：新奥光伏能源有限公司;
发明（设计）人：田小让; 张林; 侯洪涛; 赵冠超; 谷士斌; 杨荣; 李立伟; 孟原; 郭铁;
国别省市：河北;13