一种原子层沉积修饰的锂离子电池及其制备方法 CN201610957447.7
本发明公开了一种原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）修饰的锂离子电池及其制备方法，本发明公开的原子层沉积修饰的锂离子电池正、负极活性物质材料至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成；或者正、负极极片至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成。
专利类型：发明
专利号：
201610957447.7
专利申请日：
2016.11.03
公开（公告）日：
2017.02.08
申请（专利权）人：
上海空间电源研究所;
发明（设计）人：
顾海涛; 周欣彬; 谢朝香; 简德超; 田文生; 王可;
国别省市：
上海;31
