硅异质结太阳能电池及其制作方法 CN202010723462.1

本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以在保证本征非晶硅层钝化效果的同时，提高本征非晶硅层的膜层质量。该硅异质结太阳能电池，包括：晶硅基底；至少形成在晶硅基底一面上的本征非晶硅叠层；本征非晶硅叠层包括层叠设置的至少三层本征非晶硅层；沿背离硅基底的方向，各层本征非晶硅层含有的氢元素含量逐渐减小。本发明提供的硅异质结太阳能电池的制作方法用于制作上述硅异质结太阳能电池。
专利类型：发明
专利号：202010723462.1
专利申请日：2019.05.27
公开（公告）日：2020.11.27
申请（专利权）人：隆基绿能科技股份有限公司;
发明（设计）人：徐琛;
国别省市：陕西;61