一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法 CN201610649477.1
一种晶硅太阳电池贱金属正面电极,该晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极,底层为阻扩散层镍电极,中层为导电层铜电极,顶层为抗氧化层铝锡电极。制备晶硅太阳电池贱金属正面电极的方法采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相,结合玻璃粉和有机载体调控浆料粘结、触变性、流变性性能,在晶硅太阳电池正面依次预置镍浆、铜浆和铝锡浆,依次烘干后制得阻扩散层镍电极、导电层铜电极和抗氧化层铝锡电极,低温烧结后制得镍/铜/铝锡贱金属复合电极,替代贵金属银电极。
专利类型:发明
专利号:
201610649477.1
专利申请日:
2016.08.10
公开(公告)日:
2016.11.9
申请(专利权)人:
china科学院电工研究所;
发明(设计)人:
李涛; 王文静;
国别省市:
北京;11
购买
最新价格,全套专利技术资料仅需266元至9919元,具体联系我们! |
|
联系电话:0575-86879949
手机:13967599949
QQ:12234598 有需要联系我们,谢谢! |
每项专利技术资料均为国家正式专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、方法、权利要求书、说明书或附图等。 |
技术介绍
加盟代理
购买方式 |