一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法 CN201610649477.1
一种晶硅太阳电池贱金属正面电极，该晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极，底层为阻扩散层镍电极，中层为导电层铜电极，顶层为抗氧化层铝锡电极。制备晶硅太阳电池贱金属正面电极的方法采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相，结合玻璃粉和有机载体调控浆料粘结、触变性、流变性性能，在晶硅太阳电池正面依次预置镍浆、铜浆和铝锡浆，依次烘干后制得阻扩散层镍电极、导电层铜电极和抗氧化层铝锡电极，低温烧结后制得镍/铜/铝锡贱金属复合电极，替代贵金属银电极。
专利类型：发明
专利号：
201610649477.1
专利申请日：
2016.08.10
公开（公告）日：
2016.11.9
申请（专利权）人：
china科学院电工研究所;
发明（设计）人：
李涛; 王文静;
国别省市：
北京;11
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