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包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201310029855.2


一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池,包括自下而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极,其特征在于,所述抗反膜有若干层,自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小。其制备方法是采用斜角入射物理沉积法,通过调整入射角度和沉积材料,生成多层折射率不同的抗反膜。本发明大大优化了硅太阳能电池的光吸收,从而提高了电池效率。这种方法不会损伤硅晶体本身的光伏特性,能够真正将多吸收的光转化为电能。提高光转化效率,将极大地推动太阳能电池产品的发展。
专利类型:发明
专利号:201310029855.2
专利申请日:2013.01.25
公开(公告)号:
公开(公告)日:2013.04.10
分类号:
申请(专利权)人:china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明(设计)人:张宇翔;朱煜;黄寓洋;宋贺伦;张耀辉
国别省市:江苏;32


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