包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201310029855.2
一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，包括自下而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极，其特征在于，所述抗反膜有若干层，自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小。其制备方法是采用斜角入射物理沉积法，通过调整入射角度和沉积材料，生成多层折射率不同的抗反膜。本发明大大优化了硅太阳能电池的光吸收，从而提高了电池效率。这种方法不会损伤硅晶体本身的光伏特性，能够真正将多吸收的光转化为电能。提高光转化效率，将极大地推动太阳能电池产品的发展。
专利类型：发明
专利号：
201310029855.2专利申请日：
2013.01.25公开（公告）号：
公开（公告）日：
2013.04.10分类号：
申请（专利权）人：
china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所发明（设计）人：
张宇翔;朱煜;黄寓洋;宋贺伦;张耀辉国别省市：
江苏;32
