GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法 CN201510109088.5

本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池；D、在GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节第二过渡层Ga1-xInxP中铟的含量使其晶格常数与GaAs底电池的晶格常数相匹配。该制备方法以GaP/Ga1-xInxP为过渡层，通过控制铟源流量从而使得第二过渡层Ga1-xInxP的晶格常数过渡至GaAs底电池的晶格常数，使之晶格常数相匹配，从而达到生长制备GaInP/GaAs双结太阳能电池的目的。
专利类型：发明
专利号：201510109088.5
专利申请日：2015.03.12
公开（公告）日：2016.10.19
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
发明（设计）人：代盼; 陆书龙; 季莲; 吴渊渊; 谭明; 杨辉;
国别省市：江苏;32