制造硅异质结太阳能电池的方法与设备 CN201280054453.1

本发明公开了一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
专利类型：发明
专利号：201280054453.1
专利申请日：2012.10.19
公开（公告）日：2014.07.30
申请（专利权）人：应用材料公司
发明（设计）人：S·盛;L·张;Z·袁;R·王;A·佐
国别省市：美国;US