以硅纳米柱阵列为基底的异质结太阳电池及其制备方法 CN201610621268.6

本发明公开了一种以硅纳米柱阵列为基底的异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池是以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，磁控溅射的方法包裹其他薄膜材料，形成异质结结构。其制作方法包括：在P型硅片表面用氯化铯纳米岛自组装的方法制备大高宽比纳米柱阵列；在背面制备铝背场；用磁控溅射的方法在硅纳米柱阵列表面包裹氧化锌、硫化镉等N型材料层；在N型材料层表面覆盖ITO透明导电层；在上表面制备钛银电极。这种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的异质结电池其优点在于：第一，可以有效增加基底的表面比，提高异质结的有效面积，增加对入射光的吸收；第二，借助于大高宽比纳米柱阵列良好的陷光作用，能够减小反射，提高异质结电池的性能。
专利类型：发明
专利号：201610621268.6
专利申请日：2016.08.01
公开（公告）日：2016.12.07
申请（专利权）人：china科学院高能物理研究所;
发明（设计）人：刘静; 伊福廷; 王波; 张天冲; 王雨婷;
国别省市：北京;11