异质结太阳能电池及其制备方法 CN201610316392.1

本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及位于另一侧的第二电极；晶体硅片为N型，第一选择层为空穴选择性接触层，其功函数≥5.3eV；或，晶体硅片为P型，第一选择层为电子选择性接触层，其功函数≤3.9eV。上述异质结太阳能电池，由于采用第一选择层在晶体硅片近表面形成PN结，代替非晶硅‑晶体硅异质结结构，从而取消了非晶硅，因此也避免了非晶硅造成的缺陷。另外，满足第一选择层的材料众多，选择多。本发明还公开了一种电池的制备方法。
专利类型：发明
专利号：201610316392.1
专利申请日：2016.05.12
公开（公告）日：2016.09.07
申请（专利权）人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司; 协鑫集成科技（苏州）有限公司; 协鑫集成科技股份有限公司;
发明（设计）人：杨黎飞; 张闻斌; 王琪; 李杏兵;
国别省市：江苏;32