GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 CN201210249534.9

本发明提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池，包括Si支撑衬底，以及在所述Si支撑衬底表面依次设置的Ge或GaInAs的第一接触层、Ge子电池、第一隧穿结、InGaNAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和InGaAs或GaAs的第二接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长第二接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、InGaNAs子电池、第一隧穿结、Ge子电池和第一接触层；3)提供一Si支撑衬底；4)将Si支撑衬底键合至第一接触层表面；5）从第二接触层处将GaAs衬底剥离以去除GaAs衬底。
专利类型：发明
专利号：201210249534.9
专利申请日：2012.07.19
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.21
分类号：
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉
国别省市：江苏;32