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GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 CN201210249534.9


本发明提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池,包括Si支撑衬底,以及在所述Si支撑衬底表面依次设置的Ge或GaInAs的第一接触层、Ge子电池、第一隧穿结、InGaNAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和InGaAs或GaAs的第二接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池的制备方法,包括步骤:1)提供一GaAs衬底;2)在GaAs衬底表面生长依次生长第二接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、InGaNAs子电池、第一隧穿结、Ge子电池和第一接触层;3)提供一Si支撑衬底;4)将Si支撑衬底键合至第一接触层表面;5)从第二接触层处将GaAs衬底剥离以去除GaAs衬底。
专利类型:发明
专利号:201210249534.9
专利申请日:2012.07.19
公开(公告)号:
公开(公告)日:2012.11.21
分类号:
申请(专利权)人:china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明(设计)人:赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉
国别省市:江苏;32


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